инверсионный слой полупроводника

инверсионный слой полупроводника

 

инверсионный слой полупроводника
инверсионный слой

Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев.
[ГОСТ 22622-77]

Тематики

  • материалы полупроводниковые

Синонимы

  • инверсионный слой


Справочник технического переводчика. – Интент. 2009-2013.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Смотреть что такое "инверсионный слой полупроводника" в других словарях:

  • Инверсионный слой полупроводника — 42. Инверсионный слой полупроводника Инверсионный слой Приповерхностный слой полупроводника, обладающий электропроводностью, противоположной по закону электропроводности глубинных слоев Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые.… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — область полупроводника у его поверхности, в к рой равновесная концентрация неосновных носителей заряда больше, чем основных. И. с. возникает, когда поверхность ПП n типа (р типа) по отношению к объёму находится под достаточно большим… …   Физическая энциклопедия

  • ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ — ИНВЕРСИОННЫЙ СЛОЙ, слой у границы полупроводника, отличающийся от внутренних областей противоположным знаком основных носителей заряда (см. НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА). Может образовываться как у свободной границы, так и у границы раздела с диэлектриком,… …   Энциклопедический словарь

  • ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

  • МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с …   Физическая энциклопедия

  • КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того …   Физическая энциклопедия

  • КВАНТОВЫЙ ХОЛЛА ЭФФЕКТ — макроскопич. квантовый эффект, проявляющийся в квантовании холловского сопротивления r ху (см. Холла эффект )и исчезновении уд. сопротивления r хх. К. X. э. наблюдается при низких темп pax Т в инверсионном слое носителей заряда в полупроводниках …   Физическая энциклопедия

  • М — Д — П-СТРУКТУРА — (структура металл диэлектрик полупроводник), конденсатор, состоящий из пластины полупроводника, слоя диэлектрика и металлич. электрода. При зарядке конденсатора электропроводность полупроводника изменяется вблизи границы раздела с диэлектриком… …   Физическая энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»